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光刻

MEMS加工-光刻

光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔,以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。
  • 产品介绍
  • 案例展示
应用材料:
● 硅片,玻璃,蓝宝石,柔性材料等
接触式光刻:
● 最小图形尺寸:1μm,套刻精度:±0.5μm
步进式光刻:
● 投影比例1:5,最小图形尺寸:0.35μm ,套刻精度≤0.15μm(X,Y),曝光范围<22*22mm
电子束光刻:
● 最小图形尺寸:10nm,套刻精度:40nm,曝光范围 < 直径100mm
双面对准光刻:
● 最小图形尺寸:1μm,正面套刻精度:±1μm,背面套刻精度:±2μm
EBL(电子束光刻)
接触式光刻

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