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详解微纳加工工艺:光刻

2021-09-22
博研小编给大家普及一下,光刻是通过一系列生产步骤,将晶圆表面薄膜的特定部分除去的微纳加工工艺。光刻生产的目标是根据电路设计的要求,生成尺寸精确的特征图形,并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件的关联正确。
 详解微纳加工工艺:光刻
一般的微纳光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等加工工序。
 
1.硅片清洗烘干
 
方法:湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙(热板150~250 ℃,1~2分钟,氮气保护)。
 
2.涂底
 
方法:a.气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积,200~250 ℃,30秒钟;优点:涂底均匀、避免颗粒污染;b.旋转涂底。缺点:颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。
 
3.涂胶
 
方法:a.静态涂胶:硅片静止时,滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂(原光刻胶的溶剂约占65~85%,旋涂后约占10~20%);b.动态涂胶:低速旋转、滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂。
 
4.软烘
 
方法:真空热板,85~120 ℃,30~60秒。
 
5.边缘去除
 
光刻胶涂覆后,在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀,不能得到很好的图形,而且容易发生剥离而影响其它部分的图形。所以需要去除。
 
6.对准
 
对准方法:a.预对准,通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准;b.通过对准标志,位于切割槽上。另外层间对准,即套刻精度,保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。
 
7.曝光
 
曝光中最重要的两个参数是:曝光能量和焦距。如果能量和焦距调整不好,就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。
 
8.后烘
 
方法:热板,110~130℃,1分钟。
 
9.显影
 
a.整盒硅片浸没式显影。缺点:显影液消耗很大;显影的均匀性差;
 
b.连续喷雾显影/自动旋转显影。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面,同时硅片低速旋转(100~500 rpm)。喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶 解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。
 
10.硬烘
 
方法:热板,100~130 ℃,1~2分钟。
 
光刻是一种要求非常高的微纳工艺,博研小编这里只是简单叙述了下其加工步骤,想了解更多可以添加小编联系方式。
 

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