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主要的MEMS加工工艺大盘点

2021-08-05
据博研小编的了解,在以硅为基础的MEMS加工工艺中 ,主要的加工工艺有腐蚀、键合、光刻、氧化、扩散、溅射等。
 主要的MEMS加工工艺大盘点
①、腐蚀   
 
腐蚀是MEMS 加工的最主要的技术 ,各种硅微机械几乎都要用腐蚀成型。腐蚀法分湿法腐蚀和 干法腐蚀两大类 ,湿法腐蚀又分为溶液法及阳极法 , 干法腐蚀分为离子刻蚀、激光加工等。   
 
②、键合   
 
键合是指不利用任何黏合剂 ,只通过化学键和 物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其他材料紧 密结合在一起。在MEMS加工技术中 ,最常用的是硅与 硅直接键合和硅与玻璃静电键合技术 ,还有硅化物 键合、有机物键合等等。   
 
③、光刻
 
光刻是一种复印图象同化学腐蚀相结合的综合MEMS加工技术 ,它采用照相复印的方法 ,将光刻版上的图形精 确地复印在涂有感光胶的 SiO2 层或金属蒸发层上 , 然后利用光刻胶的保护作用 ,对 SiO2 层或金属蒸发 层进行有选择的化学腐蚀 ,从而在 SiO2 层或金属蒸 发层上得到与光刻版相应的图形。   
 
④、氧化   
 
氧化在硅外延平面中是很重要的。热生长氧化法是在硅片表面生长 SiO2 膜的常用方法 ,其方法是 将硅片放入高温炉内 ,在氧气中使硅片表面生成 SiO2 薄膜。   
 
⑤、扩散   
 
扩散属于掺杂工艺 ,掺杂包括扩散和离子注入 两种。扩散是指在高温下 ,使杂质由半导体晶片表 面向内部扩散 ,以改变晶片内部的杂质分布和表层 导电类型。在扩散过程中 ,当扩散表面源和表面的 初始杂质含量不同时 ,杂质向硅片扩散的结果将使 硅片内部出现不同形式的杂质分布。   
 
⑥、溅射   
 
溅射是与气体辉光放电现象密切相关的一种薄膜淀积技术。   
 
博研小编了解到这种MEMS加工技术是在高真空室中充入少量的惰性气体例如氩气、氦气等 ,利用气体分子在强电场作用下电离而产生辉光放电 ,从而产生带正电的离子 ,受电场加速而形成的高能离子流撞击在阴极靶表面上 , 使阴极靶材料表面的原子飞溅出来 ,淀积到基片上形成薄膜。

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